Power MOSFET UIS性能改善的研究

被引：0

作者：

何荣华

机构：

[1] 尼西半导体科技(上海)有限公司

来源：

关键词：

集成电路; 半导体器件; 性能改善; Power MOSFET; Unclamped Inductive Switching;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

分析UIS失效的发生机理,提出了改善UIS性能的三个方面,避免产生极端电场强度、避免缺陷产生电流聚集效应、合适的沟槽深度保证charge balance电荷平衡。并且能够紧扣实验,通过实验结果来详细论证这三个观点。提出在半导体工艺制程和集成电路器件设计过程中改善UIS能力与一致性的方法。

引用

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