裂解升温速率对聚碳硅烷先驱体转化制备C_f/SiC材料弯曲性能的影响

被引：6

作者：

简科

陈朝辉

陈国民

马青松

郑文伟

机构：

[1] 国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南城市学院科技处,国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室长沙,长沙,益阳,长沙,长沙

来源：

材料工程 | 2003年 / 11期

关键词：

Cf/SiC复合材料; 聚碳硅烷; 弯曲强度; 界面;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB332 [非金属复合材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

以聚碳硅烷 (PCS) /二乙烯基苯 (DVB)为先驱体制备了 3D- B Cf/ Si C复合材料 ,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响。结果表明 :随着裂解升温速率的提高 ,材料致密度增加 ,界面结合变弱 ,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高。以 15℃ / min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到5 5 6 .7MPa,130 0℃真空下测试 ,材料的弯曲强度达到 6 80 .3MPa。

引用

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