a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的界面特性研究

被引：0

作者：

王印月

许怀哲

张仿清

机构：

[1] 兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系兰州,,兰州,,兰州,

来源：

关键词：

超晶格; 界面; 拉曼谱;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文用红外(IR)和拉曼(Raman)谱研究了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的界面特性.定量分析发现,界面处没有因应力释放引起的 H 富集,不存在由超晶格结构引起的界面结构无序,界面处存在着～(5±2)(?)的 Si、Ge 组分混合层.我们对结果进行了初步分析.

引用

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