Si对热压烧结B4C陶瓷材料显微结构与性能的影响

被引：6
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作者：
张卫珂 [1 ]
常杰 [1 ]
张敏 [1 ]
高利珍 [1 ]
张玉军 [2 ]
机构：
[1] 太原理工大学环境科学与工程学院
[2] 山东大学材料科学与工程学院
来源：
人工晶体学报 | 2013年 / 42卷 / 12期
关键词：
B4C; SiB6; 热压烧结; 原位增强;
D O I：
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.12.035
中图分类号：
TQ174.1 [基础理论];
学科分类号：
摘要：
采用Si作为烧结助剂,利用热压烧结技术烧结制备了SiB6-B4C陶瓷复合材料。采用热力学计算、XRD物相分析,结合SEM图片,探讨了Si-B4C陶瓷的烧结过程和机理。结果表明:Si有助于促进B4C陶瓷的致密化烧结,原位生成的SiB6有助于B4C陶瓷机械性能的提高;Si的最佳加入量为10wt%;预烧处理对Si-B4C陶瓷烧结有利,1000～1400℃预烧8 h后制备的B4C陶瓷弯曲强度447.3 MPa,断裂韧性4.42 MPa·m1/2,HRA硬度为94。
引用
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页码：2576 / 2582
页数：7
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