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碳化硅高温半导体.[M].(荷)列来lely;J.A.等著;珥石编译;.上海科学技术出版社.1963,
应变层Si1-x-yGexCy合金研究
被引：3
作者：
于卓
余金中
成步文
王启明
梁骏吾
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所
来源：
关键词：
Si1－x－yGexCy合金；应变补偿；能带结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
TG13 [合金学与各种性质合金];
学科分类号：
080502 ;
摘要：
本文综述了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金的研究进展，包括合金的应变补偿效应、微观结构、能带结构和光电特性等
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页码：25 / 33
页数：9
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