共 2 条
P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
被引：1
作者：
邓和清
林桂江
赖虹凯
李成
陈松岩
余金中
机构：
[1] 厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心
[2] 厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心 厦门
[3] 厦门中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
[4] 北京
来源：
关键词：
张应变;
锗硅量子阱;
红外探测器;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此p型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与p型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.
引用
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页码：785 / 788
页数：4
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