GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的Type-II特性

被引：0

作者：

成鸣飞 ^{[1
]}

成珏飞 ^{[2
]}

罗向东 ^{[1
]}

机构：

[1] 南通大学

[2] 苏州职业大学

来源：

关键词：

GaAs1-xSbx/GaAs; 量子阱; 异质结; Type-II结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.1 [半导体量子理论];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%￣26%时是Type-II结构.

引用

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