深亚微米SOI工艺的输出结构ESD研究附视频

被引：3

作者：

高国平

黄登华

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第五十八研究所

来源：

关键词：

SOI; ESD; 输出缓冲器;

D O I：

10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0149

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

SOI(Silicon-On-Insulator)是一种在未来很有竞争优势的工艺技术,但由于其与体硅工艺结构上的不同,给其ESD设计带来了额外的挑战。通过串联的NMOS管来提高输出管的触发电压,以提升输出缓冲器的ESD能力。

引用

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