阻变存储器及其集成技术研究进展

被引：14

作者：

左青云

刘明

龙世兵

王琴

胡媛

刘琦

张森

王艳

李颖弢

机构：

[1] 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室

来源：

微电子学 | 2009年 / 39卷 / 04期

关键词：

非挥发性存储器; 阻变存储器; 电阻转变;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP333.5 [半导体集成电路存贮器];

学科分类号：

081201 ;

摘要：

在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。

引用

页码：546 / 551

页数：6

共 5 条

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