1μm宽硅深槽刻蚀技术

被引：3
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作者：
王清平，郭林，刘兴凤，蔡永才，黄正学
机构：
[1] 电子工业部第２４研究所
来源：
微电子学 | 1996年 / 01期
关键词：
半导体工艺，反应离子刻蚀，硅深槽隔离;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN405.983 [];
学科分类号：
摘要：
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
引用
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