溅射Nb-Ge膜的研究

被引：7

作者：

李林

赵柏儒

周萍

郭树权

赵有祥

陈岚峰

机构：

[1] 中国科学院物理研究所

[2] 冶金部有色金属研究总院

来源：

科学通报 | 1981年 / 16期

关键词：

溅射; 真空沉积; Nb-Ge; 转变宽度; 真空室; 低压室; 点阵常数; 复合靶; 超导转变温度; 超导临界温度; 起始温度; 基片; 衬底; 淀积膜;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> A15 Nb3Ge化合物,仍是目前已发现的超导转变温度最高的超导体,但其Tc的高低与制各方法密切相关;用电弧熔炼的大块材料,Tc在6K附近,但Matthias等使用快速淬火的办法,可制备Tc～17K的样品,用薄膜淀积技术,可成功的制备高Tc的A15 Nb3Ge样品。 1973年,Gavaler首先用高Ar气压力下直流溅射技术,获得高Tc Nb3Ge。之后,许多

引用

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