KRS-5单晶RAP法生长和多晶光纤研制

被引：0

作者：

侯印春 ^{[1
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王凤云 ^{[1
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权宁三 ^{[1
]}

王人淑 ^{[1
]}

钟鹤裕 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

来源：

关键词：

RAP; KRS-5; 光纤损耗; 单晶; 晶形;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1988.z1.217

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

为了减少 KRS-5单晶中的有害杂质,采用了反应气氛下生长晶体的工艺(RAP法)。RAP 法可以去除在中红外波段有严重吸收的含氧阴离子团。用氦氖激光器检查了不同生长条件下晶体散射情况,用 X 光荧火定性分析了晶体内的杂质,讨论了进一步降低光纤损耗的可

引用

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