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Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
被引：4
作者：
林桂江
周志文
赖虹凯
李成
陈松岩
余金中
机构：
[1] 厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心
来源：
关键词：
硅锗材料;
量子级联激光器;
子带跃迁;
k·p方法;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN248 [激光器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6k.p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.
引用
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页码：4137 / 4142
页数：6
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