反应溅射生长的 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格结构的 TEM 观察

被引：1

作者：

王印月

许怀哲

张仿清

陈光华

高金成

李柏年

王代思

机构：

[1] 兰州大学物理系

[2] 兰州大学生物系

来源：

兰州大学学报 | 1990年 / 02期

关键词：

超晶格结构; a-Ge; 反应溅射; H/a-Si; 射线衍射; 透射电子显微镜; 非晶态; TEM;

D O I：

10.13885/j.issn.0455-2059.1990.02.023

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 自1983年 Tiedje 和 Abeles 等人报导了非晶态半导体超晶格以来,非晶态半导体超晶格以它特殊的性质和潜在的应用前景（如太阳能电池,TFT 等）越来越引起人们的注意。由于非晶态长程无序,因而非晶态超晶格不像晶态超晶格那样在界面处要求严格的晶格匹配。人们已经用辉光放电法生长了 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格（?）2,但是这种方法

引用

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