a-Si:H/a-Si1-XCX:H超晶格的光学性质

被引：0

作者：

徐希翔

张仿清

韩玉

赵有文

李卫

陈光华

余光明

马兰萍

刘煜

机构：

来源：

关键词：

超晶格; 吸收强度; 超点阵; X)C_X; PPC; 量子尺寸效应; 超晶格薄膜; 光学性质; 物理性能;

D O I：

10.13885/j.issn.0455-2059.1988.01.006

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文报导了未掺杂的 a—Si∶H/a-si1-xCx∶H 超晶格的 PPC 效应及光学带隙的兰移现象.通过红外测（?）发现:（Si—C）键的吸收强度随超晶格界面数的增加而增大.

引用

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