Ge-Se-Te系统的光电能隙

被引：0

作者：

闵嗣桂

杨涵美

陈宗才

机构：

来源：

无机材料学报 | 1981年 / Z1期

关键词：

能隙; 能带结构; Ge-Se-Te; 非晶半导体; GeTe; 禁带宽度;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 一、引言自从发现非晶硫系材料的半导性、特别是非晶硅能被掺杂以后,科学工作者对非晶半导体的能带间隙和电子传输过程的研究,发生了很大的兴趣。于是,怎样能使非晶态物质掺杂来使得费米能级移动,已成为研究非晶态半导体的重要问题。我们这个工作是通过组成与光电性能关系的研究,希望达到下面两个目的:(1)根据禁带宽度与组成的关系,来设计化学组份,从而获得各种不同禁带宽度的本征半导体。(2)固

引用

页码：24 / 29

页数：6