a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的电学特性研究

被引：0

作者：

王印月

许怀哲

陈光华

机构：

[1] 兰州大学物理系

来源：

关键词：

超点阵; 电导率; 能隙;

D O I：

10.13885/j.issn.0455-2059.1993.01.007

中图分类号：

O482 [固体性质];

学科分类号：

摘要：

测量了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的平行电导和垂直电导,研究了超晶格的结构和输运机理;实验观察到了强场下垂直电导的指数增强效应,得到阱层 a-Ge∶H 的深隙态密度Ng=1.9×1018cm-3·ev-1.对实验结果作了初步讨论.

引用

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