薄膜晶体管a－Si：H／a－SiNx界面研究

被引：1

作者：

胡宇飞，孙剑，钟伯强，黄慈祥，潘惠英

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所

来源：

关键词：

a－Si：H／a－SiNx界面，光致发光谱，隙态密度，C－V;

D O I：

暂无

中图分类号：

O799 [应用晶体学];

学科分类号：

摘要：

对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。

引用

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