CuInSe2薄膜特性研究

被引：5

作者：

季秉厚

罗永胜

李蓉萍

机构：

[1] 内蒙古大学半导体能源实验室

[2] 内蒙古大学半导体能源实验室届研究生内蒙古电业管理局中试所

来源：

关键词：

薄膜样品; 吸收系数; 透射曲线; 吸收率; 衬底温度; CIS; 电阻系数; 电阻率; 薄膜特性; 晶体微结构; 晶粒大小; 双源法; 太阳电池;

D O I：

10.19912/j.0254-0096.1991.01.006

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2（CIS）多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。

引用

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