Al-Mg-Si合金中Mg2Si和Si粒子在晶间腐蚀过程中的作用机理（英文）

被引：30

作者：

曾锋利 ^{[1
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卫中领 ^{[2
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李劲风 ^{[1
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李朝兴 ^{[1
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谭星 ^{[1
]}

张昭 ^{[3
]}

郑子樵 ^{[1
]}

机构：

[1] 中南大学材料科学与工程学院

[2] 嘉兴市轻合金技术重点实验室

[3] 浙江大学化学系

来源：

TransactionsofNonferrousMetalsSocietyofChina | 2011年 / 21卷 / 12期

关键词：

Al-Mg-Si合金; 晶间腐蚀; 腐蚀机理; 电化学行为; Mg2Si; Si;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG171 [金属腐蚀理论];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

研究Al-Mg-Si合金晶界组成相(Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si)间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n(Mg)/n(Si)<1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

引用

页码：2559 / 2567

页数：9

共 8 条

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