应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

被引：18

作者：

张志锋

张鹤鸣

胡辉勇

宣荣喜

宋建军

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

来源：

物理学报 | 2009年 / 58卷 / 07期

关键词：

应变硅; 阈值电压; 电势分布; 反型层;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系.分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大.该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考.

引用

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