共 4 条
Ce掺杂的TiO2电容-压敏材料结构和电性能研究
被引:5
作者:
孟黎清
李红耘
熊西周
罗绍华
机构:
[1] 山西大学工程学院建筑工程与管理系材力教研室
[2] 广州新日电子有限公司
[3] 清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 山西太原
[4] 广东广州
[5] 北京
来源:
关键词:
二氧化钛;
压敏电阻器;
电容;
二氧化铈;
D O I:
10.16188/j.isa.1003-8337.2003.06.011
中图分类号:
TN379 [敏感器件];
学科分类号:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要:
通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数(εr=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。
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