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一种高电源噪声抑制宽线性范围CMOS压控振荡器设计
被引:6
作者
:
孙铁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海交通大学微纳科学技术研究院
孙铁
惠春
论文数:
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机构:
上海交通大学微纳科学技术研究院
惠春
王芸
论文数:
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引用数:
0
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机构:
上海交通大学微纳科学技术研究院
王芸
机构
:
[1]
上海交通大学微纳科学技术研究院
[2]
上海交通大学微纳科学技术研究院 上海
[3]
上海
来源
:
微电子学与计算机
|
2005年
/ 10期
关键词
:
锁相环;
压控振荡器;
电压调节器;
电源噪声抑制;
D O I
:
10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2005.10.018
中图分类号
:
TN752 [振荡器];
学科分类号
:
080904 ;
摘要
:
给出了一种高电源噪声抑制、高线性范围CMOS压控振荡器的结构:电压调节器用于隔离外部电源以抑制高频与低频噪声,并提供稳定的内部电压给振荡器;振荡器部分则使用双环结构,同时采用改进的V-I电路,提高了VCO电压-频率转换特性的线性范围。在TSMC0.25μmN阱CMOS工艺参数下仿真表明,VCO的输出频率范围为0.081GHz至1.53GHz,控制电压调节范围81%,线性度6.9%。当输出频率为1GHz时,电源电压变化1V引起的输出周期变化为3ps。
引用
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页码:62 / 65+69 +69
页数:5
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