基于死区调节的单级桥式PFC变换器变压器偏磁抑制策略

被引:6
作者
王大庆
贲洪奇
孟涛
机构
[1] 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院
关键词
变换器; 功率因数校正; 单级桥式; 有源钳位; 死区调节; 偏磁抑制;
D O I
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2012.30.012
中图分类号
TM46 [变流器];
学科分类号
080801 ;
摘要
由于单级桥式功率因数校正(power factor correction,PFC)AC/DC变换技术电路的特点,导致高频变压器存在偏磁现象,影响了系统正常工作。传统方式通过增加变压器气隙或使用隔直电容来防止变压器出现偏磁,但是该类方案影响了系统性能,并增加了电路的复杂程度。结合有源钳位单级PFC变换器工作特点,提出一种基于死区调节的偏磁抑制策略,通过改变系统的开关时序,能够有效抑制偏磁,具有不增加主电路复杂程度、不影响系统性能、数字控制和模拟控制都能够实现等优点。在提出抑制策略的基础上,设计实现电路,给出死区设计方法及影响规律,最后进行实验研究。理论分析及实验结果表明,该策略能够在不影响系统性能的基础上,有效抑制单级桥式PFC变换器的高频变压器偏磁。
引用
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页码:46 / 53+9 +9
页数:9
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