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GaSb(100)的表面再构
被引：1
作者：
贺仲卿
侯晓远
丁训民
机构：
[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
[2] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海
[3] 上海
来源：
关键词：
GaSb;
原子;
分子;
GaAs;
再构;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子轰击加退火(IBA)制备的、表面存在Ga岛的(2×3)再构均变为简单的(1×3)再构。
引用
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页码：1315 / 1321
页数：7
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