Poly-Si TFT理论模型的研究

被引:1
作者
张建军
吴春亚
孙钟林
机构
[1] 南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
关键词
poly-SiTFT,物理模型,晶界势垒,有效迁移率;
D O I
暂无
中图分类号
TN44 [膜集成电路];
学科分类号
摘要
建立了一个poly-SiTFT的物理模型,并在此基础上分析了poly-Si材料特性对poly-SiTFT器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性,对泊松方程做了两维模型一维处理,用热电子发射模型重新定义了有效迁移率,推导出了poly-SiTFT电流电压关系的解析式。
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