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Poly-Si TFT理论模型的研究
被引:1
作者
:
张建军
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机构:
南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
张建军
吴春亚
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南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
吴春亚
孙钟林
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南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
孙钟林
机构
:
[1]
南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
来源
:
液晶与显示
|
1998年
/ 02期
关键词
:
poly-SiTFT,物理模型,晶界势垒,有效迁移率;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN44 [膜集成电路];
学科分类号
:
摘要
:
建立了一个poly-SiTFT的物理模型,并在此基础上分析了poly-Si材料特性对poly-SiTFT器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性,对泊松方程做了两维模型一维处理,用热电子发射模型重新定义了有效迁移率,推导出了poly-SiTFT电流电压关系的解析式。
引用
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页码:17 / 22
页数:6
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