Poly-Si TFT理论模型的研究

被引：1

作者：

张建军

吴春亚

孙钟林

机构：

[1] 南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室

来源：

关键词：

poly－SiTFT,物理模型,晶界势垒,有效迁移率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN44 [膜集成电路];

学科分类号：

摘要：

建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了有效迁移率，推导出了ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ电流电压关系的解析式。

引用

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