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94GHz低噪声PM-HEMT
被引：0
|作者：
李淑芳
机构：
来源：
关键词：
HEMT;
器件;
PM-HEMT;
平面掺杂;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正>《IEEE EDL》1990年12月报道了94GHz频段以GaAs为衬底的迄今最低噪声系数的PM-HEMT器件.首先在半绝缘GaAs衬底上生长未掺杂超晶格/GaAs/超晶格结构的缓冲层,并在其上相继生长19nm未掺杂In0.15Ga0.85As沟道;30nm未掺杂Al0.25Ga0.75As隔层,其表面有一浓度为5×1012cm-2的Si平面掺杂;30nm未掺杂Al0.25Ga0.75As和40nm掺杂浓度为6×1018cm-8
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