LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

被引：5

作者：

冯文林 ^{[1
]}

刘虹刚 ^{[2
]}

方旺 ^{[2
]}

机构：

[1] 重庆工学院数理学院应用物理系

[2] 四川大学材料科学系

来源：

四川大学学报(自然科学版) | 2007年 / 03期

关键词：

电子顺磁共振参量; 缺陷结构; LaSrGaO4:Cu2+晶体;

D O I：

暂无

中图分类号：

O614.331 [];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.

引用

页码：666 / 668

页数：3

共 16 条

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冯文林 ;

刘虹刚 .

四川大学学报(自然科学版), 2006, (04) :816-819

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