X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究

被引：3

作者：

顾卫东 ^{[1
]}

张志国 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室

[2] 西安电子科技大学微电子学院

来源：

半导体技术 | 2009年 / 34卷 / 11期

关键词：

AlGaN/GaN HEMT; 大栅宽; 高电压; 高输出功率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%。

引用

页码：1082 / 1084

页数：3

共 4 条

[1]

"30W/mm GaN HEMTs by Field Plate Opti mization". Y.F.Wu,A.Saxler,M.Moore,et al. IEEE Electron Device Letters . 2004

[2]

TOSHIBA announces X-band GAN HEMT for radar andmedical applications. http:∥www.toshiba.com/taec/news/press releases/2007/mwrf-07-478.jsp . 2009

[3]

An X-band 250 Wsolide-state amplifier using GaNpower HEMTs. KANTO K,SATOMI A,ASAHI Y,et al. Proc ofIEEE Radio and Wireless Symposium . 2008

[4]

W GaN B solid-state power amplifier for X-band marineradar systems. http:∥www.jrc.co.jp/eng/company/html/review55/05.html . 2009

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