a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的掺杂效应

被引：0

作者：

王树林

程如光

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所

来源：

物理学报 | 1988年 / 07期

关键词：

子层; 多层膜; 掺杂比; 厚度; 光学薄膜; 超点阵; 超晶格; a-Si; 掺杂效应; Si;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

采用带有可转动掩板的沉积系统,合成出一类新的a-Si:H/掺杂a-SiNx:H超晶格。样品中各子层厚度及a-SiNx:H子层中N/Si比固定,仅改变掺杂浓度。结果发现:此类超晶格中的费密能级可以通过a-SiNx:H层中的掺杂来控制,即a-Si:H/a-SiNx:H超晶格可以从n型转变为p型,依赖于a-SiNx:H子层中B的掺杂比。然而,a-SiNx:H子层中P的掺杂对a-Si:H/a-SiNx:H超晶格传输特性影响并不大。

引用

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