原子氢在Si(100)表面吸附的FI-STM研究

被引：0

作者：

陆华

王向东

白春礼

桥诘富博

樱井利夫

机构：

[1] 复旦大学物理系

[2] 中国科学院物理研究所

[3] 中国科学院化学研究所

[4] 日本东北大学金属材料研究所

[5] 日本东北大学金属材料研究所上海

[6] 北京

来源：

真空科学与技术 | 1993年 / 04期

关键词：

场离子显微镜; 扫描隧道显微镜; Si表面; 氢; 化学吸附;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.1993.04.002

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

高性能的场离子-扫描隧道显微镜(field ion-scanning tunneling microscope简称FI-STM)已成功地用于原子氢在Si(100)2×1表面的化学吸附过程的研究。结果表明,在小于6L低的氢暴露量下,氢原子通常是吸附在Si的二聚原子列(dimer rows)的顶部。随着氢暴露量的增加,先后出现Si(100)2×1:H单氢化物相(monohydride)和Si(100)1×1::2H双氢化物相(dihydride)两种表面结构。氢饱和的Si表面的热脱附研究表明,当样品被加热到590K时,表面结构并无明显变化;而到达670K时,则表面的(1×1)双氢化物相消失;当温度升高到730K时,(2×1)结构的二聚原子列又重现于表面,而且在Si衬底的台阶上出现许多错列的吸附原子链。这些原子链垂直于原先的Si的二聚原子列的方向,因此被认为是由Si的氢化物热解产生的Si原子在Si(100)表面的有序化排列。

引用

页码：237 / 242

页数：6

共 17 条

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