Sol-Gel法制备ZrO2-SnO2薄膜的常温气敏机理

被引：6
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作者：
方国家
刘祖黎
张杰
姚凯伦
机构：
[1] 华中理工大学
[2] 中国科学院国际材料物理中心
来源：
材料研究学报 | 1997年 / 04期
关键词：
sol-gel工艺; ZrO2-SnO2薄膜; 常温气敏机理; 响应恢复特性;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB43 [薄膜技术];
学科分类号：
0805 ;
摘要：
根据Sol-Gel工艺制备的ZrO2－SnO2薄膜的气敏性能数据，提出了常温下SnO2（ZrO2）薄膜对H2S的气敏机理模型.根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致.
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共 2 条
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  • [2] Sensing mechanism of SnO 2 gas sensors[J] . Masamichi Ippommatsu,Hirokazu Sasaki,Hiroaki Yanagida.Journal of Materials Science . 1990 (1)
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