a-Si TFT寻址LCD的动态特性

被引：0

作者：

Miyata

邢维政

机构：

来源：

光电子学技术 | 1990年 / 02期

关键词：

a-Si TFT; 透射率; 象质; LCD; 漏电流; 动态特性; 寻址; Si;

D O I：

10.19453/j.cnki.1005-488x.1990.02.010

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

由薄膜晶体管寻址的液晶显示器(TFT-LCD)的透射率-驱动电压(T—V)关系应给出 TFT—LCD 的“通”和“断”态的动态特性。根据静态条件下 TFT 的转换特性和 LC 的介质损耗进行数值计算所得的“通”态特性,发现与实验结果很好地符合。另一方面,由 T—V 特性估算的漏电流与工作状态直接测量到的又有差异,前者明显地增大了。该电流的显著增大主要来源于源汇线的电场对源汇线周围的 LC 干扰,从而致使象素电极上某些部分变暗。

引用

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