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镁合金[M]. 化学工业出版社 , 陈振华等编著, 2004
杂质对镁合金耐蚀性影响的电子理论研究
被引：17
作者：
张国英
张辉
赵子夫
李昱材
机构：
[1] 沈阳师范大学物理科学与技术学院
来源：
基金：
中国博士后科学基金;
关键词：
电子理论;
晶界偏聚;
镁合金;
腐蚀机理;
D O I：
暂无
中图分类号：
TG111.1 [金属的电子理论];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
摘要：
利用大角重位点阵模型建立了Mg合金[0001]对称倾斜晶界模型,应用实空间的连分数方法计算了杂质在晶界的偏聚能,杂质原子间相互作用能和不同体系的费米能级,讨论了杂质在晶界的偏聚行为,杂质间的相互作用与有序化的关系及杂质对镁合金腐蚀性能影响的物理本质.计算结果表明,杂质原子偏聚于晶界,且主要偏聚于晶界的压缩区;杂质原子间相互排斥,因此在晶界区形成有序相;费米能级与材料的腐蚀电位存在这样的关系:材料的费米能级越高,其腐蚀电位就越低,容易被腐蚀,相反费米能级低,其腐蚀电位就高,不容易腐蚀.体系中成分不同区域的费米能级差导致电子从费米能级高的区域流向费米能级低的区域,正是费米能级差构成了镁合金电化学腐蚀的电动势.
引用
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页码：2439 / 2443
页数：5
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