0.2和0.1μm栅长的AlInAs-GaInAs HEMT的微波性能

<正> 在最近几年里,由于材料系统的革新和亚微米光刻的进展,使低噪声晶体管取得了振奋人心的进步。0.1μm栅长的成比例的GaAsMESFET,在1986年显示出80GHz的非本征fT,而最近刚为115GHz,这个结果完全可以与相同栅长的AlGaAs-GaAsHEMT相匹敌。AlGaAs-InGaAs赝配HEMT是大有希望的器件,因为在这种结构中,薄层电荷密度提高,且能够实现电荷控制。沟道中In克分子数为0.25、栅长约为0.2μm的器件,1987年表明的非本征fT为98GHz,而最近约为122GHz。