碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望

被引：161

作者：

盛况

郭清

张军明

钱照明

机构：

[1] 浙江大学电气工程学院

来源：

中国电机工程学报 | 2012年 / 32卷 / 30期

关键词：

碳化硅; 电力电子器件; 电力系统;

D O I：

10.13334/j.0258-8013.pcsee.2012.30.001

中图分类号：

TN303 [结构、器件]; TM72 [输配电技术];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ; 080802 ;

摘要：

碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望。高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响。

引用

页码：1 / 7+3 +3

页数：8

共 5 条

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