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ECR-PECVD制备Si3N4硬质陶瓷薄膜的研究
被引:0
|
作者
:
陈俊芳
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机构:
华南师范大学量电所
陈俊芳
丁振峰
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机构:
华南师范大学量电所
丁振峰
任兆杏
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机构:
华南师范大学量电所
任兆杏
机构
:
[1]
华南师范大学量电所
[2]
中科院等离子体物理研究所
来源
:
功能材料
|
1998年
/ 03期
关键词
:
ECR-PECVD,Si3N4硬质陶瓷薄膜;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TQ174.758 [];
学科分类号
:
摘要
:
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)技术制备了Si3N4薄膜。利用显微硬度计测定了Si3N4薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对Si3N4薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明,Si3N4薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小,该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。
引用
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页数:2
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尖端材料[M]. 电子工业出版社 , (日)堂山昌南, 1987
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