基于半导体光放大器的非相干光源抗反膜的优化设计附视频

被引:2
|
作者
黄黎蓉
黄德修
张新亮
机构
[1] 华中科技大学武汉光电国家实验室
关键词
半导体光放大器; 非相干光源; 带宽; 平坦度; 抗反膜;
D O I
暂无
中图分类号
TN722 [放大器];
学科分类号
摘要
对半导体光放大器(SOA)放大的自发发射(ASE)谱进行了实验和理论研究,并且分析了SOA端面反射率对ASE谱的谱宽以及平坦度的影响.结果表明,不恰当的抗反膜会严重减小输出光谱的带宽;而在采用具有宽带材料增益谱的有源区基础上,结合抗反膜的优化设计,则可以获得既宽又平坦的非相干光源.
引用
收藏
页码:1471 / 1475
页数:5
相关论文
共 2 条
  • [1] 基于半导体光放大器交叉偏振调制的波长转换分析
    黄黎蓉
    黄德修
    缪庆元
    [J]. 半导体学报, 2003, (08) : 882 - 886
  • [2] 抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究
    黄黎蓉
    李含辉
    胡振华
    黄永箴
    黄德修
    [J]. 中国激光, 2003, (07) : 633 - 636