低热膨胀系数纳米碳化硅/聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能

被引：13

作者：

吕静 ^{[1
]}

党智敏 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室

[2] 北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系

来源：

复合材料学报 | 2011年 / 28卷 / 05期

关键词：

聚酰亚胺; 碳化硅; 热膨胀系数; 介电性能; 热稳定性;

D O I：

10.13801/j.cnki.fhclxb.2011.05.003

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

以原位分散聚合法制备出纳米碳化硅/聚酰亚胺(n-SiC/PI)复合薄膜,采用SEM、热机械分析仪(TMA)、阻抗分析仪和热重分析(TG)研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀、介电性能及热稳定性。结果表明:SiC粒子均匀分散在PI基体中,复合薄膜的热膨胀系数(CTE)随着SiC含量的增加逐渐减小,SiC质量分数为15%时,CTE降低了11%,且复合膜的热膨胀系数实验值比较接近于Kerner公式的计算值。复合膜的介电常数和介电损耗随着填料含量的变化而变化,但始终维持在较低的范围内,并在相当大的频率范围内保持稳定。

引用

页码：41 / 45

页数：5

共 9 条

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