Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

被引：0

作者：

李亮

李忠辉

董逊

周建军

孔月婵

姜文海

陈辰

机构：

[1] 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

来源：

半导体技术 | 2008年 / 33(S1)卷 / S1期

关键词：

AlGaN; Si掺杂; 金属有机化学气相淀积; 蓝宝石衬底; 外延薄膜;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.058

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移,这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

引用

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