Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

被引：0

作者：

丁永庆

苏建农

王周成

彭瑞伍

陈纪安

关振东

杨臣华

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所

[2] 电子工业部第研究所

来源：

上海金属有色分册. | 1987年 / 05期

关键词：

GaAs; CVD; Mo-CVD; 电子衍射; 衬底; 基片; CdTe; 特种材料;

D O I：

10.13258/j.cnki.snm.1987.05.002

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。

引用

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