以水稻秸秆为模板和硅源制备Si-BiVO4的机制及其光催化性能

以水稻秸秆为模板和硅源,采用溶胶-凝胶法制备x RS-Si-BiVO4光催化材料。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积(BET)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis)等手段对样品进行表征分析。在可见光照射下,通过光催化降解甲基橙溶液评价x RS-Si-BiVO4的光催化活性。结果表明:以水稻秸秆为模板制备的样品具有水稻秸秆相同的微观形貌,均为单斜型,晶体粒径比未有模板时的粒径减小,比表面积增大;水稻秸秆中含有的Si4+离子掺杂进入BiVO4晶体,取代部分V5+离子,以O—Si—O—V—O键存在,晶体内V4+离子和氧空位增加,带隙减小。在可见光下光照50 min后,6RS-Si-BiVO4样品对甲基橙的脱色率达93%,较未以秸秆为模板制备的纯BiVO4样品有明显提高。