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KMgF3激光晶体研究
被引:0
作者
:
张英侠
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机构:
电子部第十一究所,电子部第十一究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所
张英侠
吴建平
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电子部第十一究所,电子部第十一究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所
吴建平
任绍霞
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任绍霞
郭持芬
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郭持芬
李凤珍
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电子部第十一究所,电子部第十一究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所
李凤珍
机构
:
[1]
电子部第十一究所,电子部第十一究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所,北京玻璃研究所
来源
:
人工晶体
|
1985年
/ Z1期
关键词
:
激光晶体;
KMgF3;
晶块;
D O I
:
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1985.z1.030
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
<正> 在开发过渡金属离子激活的氟化物终端声子激光晶体研究中,近来对 KMgF3逐渐引起重视。KMgF3晶体可以用提拉法和梯度下降法生长。做为激光基质,计划进行下列掺杂研究:Ni2+、V2+、Cu1+、Cu2+、Cr3+和 Ti3+等。考虑到一些离子的蒸气压较高,先用密封石墨坩埚温梯下降法生长 Ni2+∶KMgF3等晶体。采用分步合成法生长 Ni2+∶KMgF3晶体。首先将市售高纯 MgF2经火法氟化处理,经初
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