SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷的压敏性质研究

被引：0

作者：

张运强 ^{[1
]}

张华 ^{[2
]}

王改民 ^{[3
]}

机构：

[1] 郑州轻工业学院物理系

[2] 郑州幼儿师范高等专科学校

[3] 河南工业大学材料学院

来源：

中国陶瓷 | 2014年 / 50卷 / 01期

关键词：

SnO 2; 复合陶瓷; 压敏电阻材料; 肖特基势垒;

D O I：

10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2014.01.021

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

摘要：

采用固相反应法制备了Zn2SnO4粉体,通过传统陶瓷制备工艺获得了致密的SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷压敏性质的影响。结果表明,当Zn2SnO4的比例为15%时,该复合陶瓷的非线性系数和压敏电压分别达到最大值3.4和最小值17V/mm。另外,随着Zn2SnO4含量的变化,样品的压敏电压、介电常数分别与晶粒尺寸的变化规律一致和相反,这表明,晶粒大小是影响样品介电性质的重要因素。进一步研究发现,样品的晶界势垒高度仅为0.5ev左右,这可能是SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷材料具有低压压敏性质的重要原因。

引用

页码：26 / 29

页数：4

共 12 条

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