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Thermally stable, low-leakage self-aligned titanium silicide junctions
被引：0
作者：
机构：
[1] Yoshida, T.
[2] Ogawa, S.
[3] Okuda, S.
[4] Kouzaki, T.
[5] Tsukamoto, K.
来源：
Yoshida, T.
|
1914年
/
137期
关键词：
Semiconductor Devices;
D O I：
暂无
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学科分类号：
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