RADICAL GENERATION MECHANISM AND RADICAL EFFECT ON ALUMINUM ANISOTROPIC ETCHING IN SiCl4 REACTIVE ION ETCHING.

被引：0

作者：

Sato, Masaaki ^{[1
]}

Nakamura, Hiroaki ^{[1
]}

Yoshikawa, Akira ^{[1
]}

Arita, Yoshinobu ^{[1
]}

机构：

[1] NTT Electrical Communications Lab, Atsugi, Jpn, NTT Electrical Communications Lab, Atsugi, Jpn

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes | 1987年 / 26卷 / 09期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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