A monolithic array of silicon drift detectors for high-resolution gamma-ray imaging
被引:18
作者:
Fiorini, C.
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机构:
Politecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, ItalyPolitecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, Italy
Fiorini, C.
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Longoni, A.
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机构:
Politecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, ItalyPolitecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, Italy
Longoni, A.
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Perotti, F.
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机构:
Politecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, ItalyPolitecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, Italy
Perotti, F.
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Labanti, C.
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Politecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, ItalyPolitecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, Italy
Labanti, C.
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Rossi, E.
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Rossi, E.
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Lechner, P.
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Lechner, P.
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Soltau, H.
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Soltau, H.
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Strüder, Lothar
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Strüder, Lothar
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机构:
[1] Politecnico di Milano, Dipto. di Elettronica e Informazione, 20133 Milano, Italy
In this work, the preliminary results obtained with a high position resolution gamma-ray imaging detector are presented. The detector consists of a single-CsI(Tl) scintillator crystal optically coupled to a monolithic array of 19 silicon drift detectors (SDDs) used as photodetectors. In this array, having a total sensitive area of about 1 cm2, each SDD has a front-end JFET directly integrated on the detector chip, close to the collecting anode. This architecture reduces the electronic noise of each single photodetector to a value small enough to obtain a submillimeter position resolution at 122 KeV gamma-ray energy. The present detector module represents the development of a previous prototype based on a very limited numbers of SDDs.