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Two-dimensional numerical simulation of trapping phenomena in the substrate of GaAs MESFET's
被引：0
作者：
机构：
[1] Barton, Trevor M.
[2] Snowden, Christopher M.
来源：
Barton, Trevor M.
|
1600年
/
37期
关键词：
Transistors;
Field Effect;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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