Ultrafast photoconductive detectors based on semi-insulating GaAs and InP

被引：0

作者：

Tani, Masahiko ^{[1
]}

Sakai, Kiyomi ^{[1
]}

Mimura, Hidenori ^{[1
]}

机构：

[1] Kansai Advanced Research Cent, Kobe, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1997年 / 36卷 / 9 A-B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用