Annealing of ion-implanted GaN

被引：0

作者：

Burchard, A. ^{[1
]}

Haller, E.E. ^{[2
]}

Stötzler, A. ^{[1
]}

Weissenborn, R. ^{[1
]}

Deicher, M. ^{[1
]}

机构：

[1] Fakultät für Physik, Universität Konstanz, P.O. Box 5560, D-78457 Konstanz, Germany

[2] Department of Materials Science, University of California Berkeley, Berkeley, CA 94270, United States

来源：

Physica B: Condensed Matter | 1999年 / 273卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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